(完整)RCA标准清洗步骤
硅片清洗工艺采用RCA方法，这是半导体行业硅片的标准清洗步骤：
1) 配制氢氟酸溶液(1：20，本次100ml2000ml）
2) 硅片支架清洗、吹干待用
3) 取硅片放于支架上，按照顺序放好
4) 配3＃液（硫酸:H2O2=3:1，本次660ml：220ml），硫酸最后加，同时另一容器煮水
5) 用3＃液煮洗,15min，加热至250℃，拎起支架稍凉片刻
6) 将支架放到热水中,冲水
7) 配制1#液(氨水:H2O2：H2O＝1:1：5-1:1:7），前两者倒入热水中，加热75～85℃，时间10~20min（时间不可太长，因为氨水对硅有腐蚀作用，利用络合作用去除重金属杂质），取出硅片支架，放入1＃液，15min，取出放到热水中,冲水
8) 配制2＃液（HCl：H2O2：H2O＝1：1:5，本次240ml240ml1200ml）前两者倒入热水中。
9) 取出硅片，放入2#液,15min,取出放热水中,冲水。
10) 10％的氢氟酸(1:20，本次100ml2000ml）时间5～10s，去除硅表面氧化层
11) 去离子水冲洗时间20min
