C3，C4是在控制共模与差模不平行时，改变EMI差模效果，当你发现任何屏蔽都无济于事时，你会发现此电容的作用。在前面讲过，共模与差模的载体就相当于一个气球，当共模降低时，差模增大，相反效果相反，有很多工程师曾偿试过加上屏蔽反得其反效果，这就是当你加屏蔽时，明显降低了对大地的干扰，但增强了差模干扰，所以你会发现屏蔽后效果更差。此时你可以加上C3，C4改变效果，容量可在103~683不等，视频率不同而不同，并且与所放位置很有关系。
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1MHZ以内----以差模干扰为主，增大X电容就可解决
1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析
出是哪种干扰超标并解决；
5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）；对于25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。
30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS驱动电阻，RCD缓冲电路采用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠
