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专利名称：一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法专利类型：发明专利
发明人：王朋,龚谦,曹春芳,丁彤彤申请号：CN201610153371.2申请日：20160317公开号：CN105826169A公开日：20160803
摘要：本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列，然后生长GaSb缓冲层，然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列，从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡，获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配，不失为为Si基Ⅲ?Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案，为Ⅲ?Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：潘振甦
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