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专利名称：场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法专利类型：发明专利
发明人：平田宏治,小嵜正芳,千田昌伸,柴田直树申请号：CN200910133694.5申请日：20050609公开号：CN101552193A公开日：20091007
摘要：一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
申请人：丰田合成株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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