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专利名称：制造芯片封装型半导体器件的方法专利类型：发明专利发明人：方庆一郎,松田修一申请号：CN95118615.9申请日：19950930公开号：CN11201A公开日：19960814
摘要：一种制造包括半导体芯片和载膜的半导体器件的方法，载膜包括绝缘膜和布线图形，集成电路的半导体晶片的表面上形成有粘合层。每个集成电路具有晶片表面上的电极焊点。在相应于电极焊点的粘合层的区域形成开口，然后把晶片按每一集成电路切下，从而获得芯片。之后，通过相应的粘合层的开口使芯片的电极焊点和载膜的布线图形彼此连接。然后，芯片和载膜通过位于其间的粘合层粘合在一起。可以使粘合层形成在载膜上而不形成在芯片上。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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