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专利名称：P型MOS晶体管及其形成方法专利类型：发明专利发明人：庄晓辉,仇圣棻,孙鹏申请号：CN200610119060.0申请日：20061204公开号：CN101197283A公开日：20080611
摘要：一种P型MOS晶体管的阈值电压调节方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成P型MOS晶体管，还包括在P型MOS晶体管的源、漏延伸区进行第二N型离子注入步骤。本发明还提供了一种P型MOS晶体管及其形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第I区域和与第I区域同心的第II区域，所述第II区域占整个半导体衬底面积的15％至25％；在半导体衬底上形成P型MOS晶体管，还包括在半导体衬底上的第II区域的源、漏延伸区进行第二N型离子注入步骤。本发明通过在半导体衬底上第II区域进行第二N型离子注入，增大了半导体衬底第II区域表面的掺杂浓度，从而达到抑制半导体衬底第II区域的P型MOS晶体管的阈值电压的降低。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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