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专利名称：场效应晶体管的制造方法专利类型：发明专利发明人：陈淑娴,肖魁
申请号：CN201510032619.5申请日：20150122公开号：CN105870017A公开日：20160817
摘要：本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而形成重掺杂的漏极区和源极区、形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。
申请人：无锡华润上华半导体有限公司
地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：邓云鹏
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