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IGBT模块封装结构[实用新型专利]

来源:华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:IGBT模块封装结构专利类型:实用新型专利发明人:陈嵩

申请号:CN201921868367.X申请日:20191101公开号:CN210467818U公开日:20200505

摘要:本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构,包括:电性连接层,用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介;芯片,固定设置于电性连接层;端子;以及导线,用于实现电路互连;芯片和端子经电性连接层由导线电性连接,也即,连接于芯片和端子之间的导线与电性连接层部分连接,和芯片和端子经导线直接电性连接的连接方式相比,能够使芯片产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板,这样就减少了导线传导至端子的热量,降低了端子的温度,有助于IGBT模块的正常工作,并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能,进而增加了IGBT模块的使用寿命,解决了因端子处的热量很难散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。

申请人:富士电机(中国)有限公司

地址:200062 上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

国籍:CN

代理机构:上海立群专利代理事务所(普通合伙)

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