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专利名称：开关速度可调的IGBT与超结MOSFET组合器件专利类型：发明专利
发明人：徐范锡,马督儿·博德,管灵鹏,卡尔提克·帕德玛纳罕申请号：CN202010990292.3申请日：20200918公开号：CN112582394A公开日：20210330
摘要：本发明公开了一种开关速度可调的绝缘栅双极晶体管(IGBT)与超结金属‑氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组合器件，具体公开了一种器件包括一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是结构耦合的，并且其中配置超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态。
申请人：万国半导体国际有限合伙公司
地址：加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房
国籍：CA
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：董科
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