提高习题 -半导体三极管及放大电路基础

1．测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

2．某BJT的极限参数ICM＝100mA，PCM＝150mW，V(BR)CEO＝30V，若它的工作电压VCE＝10V，则工作电流IC不得超过多大？若工作电流IC＝1mA，则工作电压的极限值应为多少？

3．试分析图3所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由(设各电容的容抗可忽略)。

图3

4．电路如图4所示，设BJT的＝80，VBE＝0.6V，ICEO、VCES可忽略不计，试分析当

开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。

图4

5．测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （a）VC＝6V VB＝0.7V VE＝0V （b）VC＝6V VB＝2V VE＝1.3V （c）VC＝6V VB＝6V VE＝5.4V （d）VC＝6V VB＝4V VE＝3.6V （e）VC＝3.6V VB＝4V VE＝3.4V

6．电路如图6 a所示，该电路的交、直流负载线绘于图6 b中，试求：(1) 电源电压VCC，静态电流IBQ、ICQ和管压降VCEQ的值；(2) 电阻Rb、Rc的值；(3) 输出电压的最大不失真幅度；(4) 要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？

（a） (b)

图6

7．画出图7所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出

电压、电流的正方向。

图7

8．单管放大电路如图8所示，已知BJT的电流放大系数＝50。(1) 估算Q点；(2) 画出简化H参数小信号等效电路；(3) 估算BJT的输入电阻rbe；(4) 如输出端接入4k的电阻负载，计算Av = vo/vi及Avs = vo/vs。

图8

9．放大电路如图9所示，已知VCC＝12V，BJT的＝20。若要求Av ≥100，ICQ＝1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设RL＝。

图9

10．电路如图10 a所示，已知BJT的＝100，VBEQ＝－0.7V。(1) 试估算该电路的Q点；(2) 画出简化的H参数小信号等效电路；(3) 求该电路的电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro；(4) 若vo中的交流成分出现图10 b所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调整电路中的哪个元件？如何调整？

图10

11．如图11所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数，问能否起到稳定工作点的作用？

图11

ICQ

12．射极偏置电路如图12所示，已知＝60。(1) 用估算法求Q点；(2) 求输入电阻rbe；(3) 用小信号模型分析法求电压增益Av；(4) 电路其他参数不变，如果要使VCEQ＝4V，问上

偏流电阻为多大？

图12

13．在图13所示的放大电路中，设信号源内阻Rs= 600 ，BJT的 = 50。（1）画出该电路的小信号等效电路；（2）求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；（3）当vs = 15mV时，求输出电压vo。

图13

14．在图14所示的电路中，vs为正弦波小信号，其平均值为0，BJT的＝100。(1) 为使发射极电流IEQ约为1mA，求Re的值；(2) 如需建立集电极电位VCQ为＋5V，求Rc的值；(3) RL＝5k，求Avs。电路中的Cb1和Cb2的容抗可忽略，取Rs＝500。

图14

15．电路如图15所示，设＝100，VBEQ = 0.7V。（1）估算Q点；（2）求电

压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

图15

16．图16所示电路属于何种组态？其输出电压vo的波形是否正确？若有错，请改正。

图16

17．在图17所示的电路中，已知Rb＝260k，Re＝RL＝5.1k，Rs＝500，VEE＝12V，＝50，试求：(1) 电路的Q点；(2) 电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻Ro；(3) 若vs＝200mV，求vo。

图17

18．电路如图18所示，设＝100，试求：(1) Q点；(2) 电压增益Avs1＝vo1/vs和Avs2

＝vo2 /vs；(3) 输入电阻Ri；(4) 输出电阻Ro1和Ro2。

图18

19．共基极电路如图19所示。射极电路里接入一恒流源，设＝100，Rs＝0，RL＝。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

图19

20．电路如图20所示，设BJT的＝100。(1) 求各电极的静态电压值VBQ、VEQ及VCQ；(2) 求rbe的值；(3) 若Z端接地，X端接信号源且Rs＝10k，Y端接一10k的负载电阻，求Avsvy/vs；(4) 若X端接地，Z端接一Rs＝200的信号电压υs，Y端接一10k的负载电阻，求Avsvy/vs；(5) 若Y端接地，X端接一内阻Rs为100的信号电压vs，Z端接一负载电阻1k，求Avs(υz/υs)。电路中容抗可忽略。

图20

21．电路如图21所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V，试求：1ICQ1、VCEQ1、ICQ2、VCEQ2；2Av1、Av2、Av、Ri和Ro。

图21

22．电路如图22所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V。 1 估算两管的Q点（设IBQ2<< ICQ1）；2求Av、Ri和Ro。

图22

23．某放大电路中AV的对数幅频特性如图23所示。(1) 试求该电路的中频电压增益

，上限频率fH，下限频率fL；(2) 当输入信号的频率f＝fL或f＝fH时，该电路实际的电压增益是多少分贝？

AVM

图23

24．一单级阻容耦合共射放大电路的通频带是50Hz～50kHz，中频电压增益AVM＝40dB，最大不失真交流输出电压范围是－3V～＋3V。(1) 若输入一个10sin(4103t) mV的正弦波信号，输出波形是否会产生频率失真和非线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大？Vo与Vi间的相位差是多少？(2) 若vi＝40sin(425103t)mV，重复回答(1)中的问题；(3) 若vi＝10sin(450103t)mV，输出波形是否会失真？

25．一高频BJT，在ICQ＝1.5mA时，测出其低频H参数为：rbe＝1.1k，0＝50，特征频率fT＝100 MHz，Cbc＝3pF，试求混合П型参数gm、rbe、rbb、Cbe。

26．电路如图26所示，BJT的＝40，Cbc＝3pF，Cbe＝100pF，rbb＝100，rbe＝1k。(a) 画出高频小信号等效电路，求上限频率fH；(b)如RL提高10倍，问中频区电压增益、上限频率及增益带宽积各变化多少倍？



图26