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专利名称：一种用于SiC晶片掺杂的离子注入方法及装置专利类型：发明专利
发明人：王迪平,彭立波,孙雪平,易文杰申请号：CN201610850259.4申请日：20160926公开号：CN1049386A公开日：20170222
摘要：一种用于SiC晶片掺杂的离子注入方法，包括以下步骤：产生SiC晶片掺杂需要的Al离子并引出形成离子束；对离子束依次进行质量分析、光栏分析和水平扫描；将宽带束变为平行束；加速提高离子束的能量；对加速后的离子束进行偏转过滤；经偏转过滤后的离子束注入SiC晶片，注入过程中对SiC晶片进行垂直扫描。一种用于SiC晶片掺杂的离子注入装置，包括按照注入过程依次设置的溅射式离子源、引出装置、质量分析器、分析光栏、水平扫描器、平行透镜、等梯度加速管、能量过滤器及靶盘，所述溅射式离子源配设有气箱，所述靶盘连接垂直扫描器。本发明具有成本低、离子束平行度好、传输效率高、良品率高、降低能量污染等优点。
申请人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
地址：410111 湖南沙市天心区新开铺路1025号
国籍：CN
代理机构：湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
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