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专利名称：一种微型耐压高散热的MOSFET专利类型：实用新型专利发明人：黄泽军
申请号：CN201420586141.1申请日：20141011公开号：CN204271079U公开日：20150415
摘要：本实用新型公开了一种微型耐压高散热的MOSFET，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，增加了使用寿命。
申请人：深圳市锐骏半导体有限公司
地址：518000 广东省深圳市福田区梅华路207号安通大厦5楼东(仅限办公)
国籍：CN
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