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专利名称：难发生软错误的半导体存储电路专利类型：发明专利发明人：新居浩二申请号：CN02147053.7申请日：20021025公开号：CN1423283A公开日：20030611
摘要：SRAM存储单元(1)包含串联连接在第1存储节点(N1)与接地电位(GND)线之间的2个N沟道MOS晶体管(13、13’)和串联连接在第2存储节点(N2)与接地电位(GND)线之间的2个N沟道MOS晶体管(14、14’)。由于只要是1个α粒子不通过2个N沟道MOS晶体管(13、13’或14、14’),存储数据就不反转,所以软错误很难发生。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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