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专利名称：一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法专利类型：发明专利
发明人：王帅,韩勤,叶焓,耿立妍,陆子晴,肖锋,肖帆申请号：CN202010486984.4申请日：20200601公开号：CN111599888A公开日：20200828
摘要：本发明实施例公开了一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法，包括由下至上设置的第一电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层；第一电极设置于衬底的第一面，第一电极上设置有通光孔阵列；帽层内设置有阶梯状PN结阵列；保护层设置于衬底的第二面，保护层内设置有第二电极阵列。本发明实施例由于是以最小的总体器件面积来实现所需的光学有源区的，因此，降低了暗计数率。由于可使首次入射至吸收层的未被吸收的光子通过正面第二电极的反射再次入射至吸收层，因此，提高了探测效率。同时，由于为阶梯状PN结，因此，降低了暗计数率，提高了探测效率。由于背光入射结构与高填充因子阵列是兼容的，因此，提高了兼容性。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李佳
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