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专利名称：晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：颜精一,洪楚茵,姚晓强,吴彦佑,黄彦士申请号：CN201010209238.7申请日：20100621公开号：CN102290440A公开日：20111221
摘要：一种晶体管及其制造方法。上述晶体管包括栅极、有源层堆叠结构、介电层、源极以及漏极。栅极位于介电层的第一表面上。有源层堆叠结构包括第一有源层与第二有源层位于介电层的第二表面上。源极与漏极位于介电层的第二表面上，且分别位于有源层堆叠结构两侧，并分别延伸至有源层堆叠结构的第一有源层与第二有源层之间。
申请人：财团法人工业技术研究院
地址：中国新竹县
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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