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专利名称：一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置专利类型：发明专利发明人：高永亮,惠峰,王文军申请号：CN200510012052.1申请日：20050630公开号：CN1888126A公开日：20070103
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水BO脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成BO薄膜。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：段成云
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