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专利名称：一种柔性IGZO薄膜晶体管专利类型：实用新型专利发明人：王彬
申请号：CN201120338322.9申请日：20110909公开号：CN202487581U公开日：20121010
摘要：本实用新型提出一种柔性IGZO薄膜晶体管。该薄膜晶体管采用底栅顶接触型TFT结构，包含塑料衬底、缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、IGZO半导体层以及保护层，其中塑料衬底位于薄膜晶体管的最下层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层，缓冲保护层的上部中心区域采用直流磁控溅射方法制备梯形栅电极，梯形栅电极上部覆盖了栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上，在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层，源、漏两极中每一极中的一端分别位于半导体层的顶部的两侧，另一端位于栅绝缘层的上部。
申请人：广东中显科技有限公司
地址：528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号
国籍：CN
代理机构：北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹津燕
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