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专利名称：基于酞菁的Ni-Ln异双核磁性配合物及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：葛景园,潘颖,陈忠研,黄帅,霍德璇申请号：CN201810617003.8申请日：20180614公开号：CN1088211A公开日：20181123
摘要：本发明涉及基于酞菁的Ni(II)‑Ln(III)中性异双核配合物及其制备方法。本发明所述配合物的化学式为[(NiL)Ln(Pc)(CHOH)]，其中Ln为稀土离子Dy(III)或者Tb(III)；L为1,1,1‑三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷的三价阴离子；Pc为酞菁分子的二价阴离子。配合物采用分步合成、室温溶剂扩散方法制备，本方法简单易行、可控性高、重复性强。所制备的配合物中有较强的铁磁相互作用，其交流磁化率在外加磁场存在时呈现出明显的频率依赖现象，具有单分子磁体的慢弛豫特征，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人：杜立
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