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专利名称：半导体图像传感器及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：施俊吉,黄益民,杨敦年申请号：CN201810926999.0申请日：20180815公开号：CN109860213A公开日：20190607
摘要：本申请涉及一种半导体图像传感器及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体图像传感器包含：第一衬底，其包含第一前侧及第一后侧；第一互连结构，其放置于第一衬底的第一前侧上方；第二衬底，其包含第二前侧及第二后侧；第二互连结构，其放置于第二衬底的第二前侧上方；第三衬底，其包含第三前侧及第三后侧；及第三互连结构，其放置于第三衬底的第三前侧上方。第一衬底包含多个第一感测装置，且第二衬底包含多个第二感测装置。第二衬底的第二后侧面向第一衬底的第一前侧，且第二衬底的第二前侧面向第三衬底的第三前侧。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹市新竹科学工业园力行六路8号
国籍：TW
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：蒋林清
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