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专利名称：用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方
法
专利类型：发明专利
发明人：陈正嵘,丛茂杰,陈菊英申请号：CN201310068065.5申请日：20130304公开号：CN104037082A公开日：20140910
摘要：本发明公开了一种用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方法，包括：步骤1、ONO结构的刻蚀阻挡层的形成；步骤2、刻蚀阻挡层开孔刻蚀；步骤3、深沟槽刻蚀及栅氧生长；步骤4、栅多晶硅填充及同刻；步骤5、第二层氧化膜刻蚀；步骤6，、多晶硅氧化；步骤7、预留部分的氮化膜刻蚀；步骤8、预留部分的第一层氧化膜刻蚀；步骤9、沟槽式接触孔形成。本发明解决了小间距尺寸的沟槽功率绝缘栅场效应晶体管中接触孔对准精度问题，提高工艺可控性，为进一步缩小沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的间距尺寸提供了可行的解决方案。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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