(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号(10)申请公布号 CN 104022018 A(43)申请公布日 2014.09.03
(21)申请号 201410276251.2(22)申请日 2014.06.19
(71)申请人无锡宏纳科技有限公司
地址214135 江苏省无锡市无锡国家高新技
术产业开发区清源路20号太湖国际科技园传感网大学科技园立业楼D区一楼无锡宏纳科技有限公司(72)发明人吕耀安 翟继鑫
(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司
11332
代理人徐鹏飞 胡彬(51)Int.Cl.
H01L 21/02(2006.01)
权利要求书1页 说明书2页权利要求书1页 说明书2页
(54)发明名称
一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺(57)摘要
本发明提供了一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤：一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其包括以下步骤：1)取经过等离子干法刻蚀后作业过的薄膜产品片；2)用氢氟酸溶液浸泡5～10分钟；3)将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；4)再将产品片放入通氢气的高温炉子中，加热到1000～1110℃，退火6～12小时；5)最后将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。上述干法刻蚀等离子损伤修复工艺先用氢氟酸去除表面的物理损伤薄层，再用高温下氢气电离后产生的H-去将化学损伤的化学键恢复成稳定的状态。从而增加产品的成品率，提高了产品的稳定性，降低生产成本。CN 104022018 ACN 104022018 A
权 利 要 求 书
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1.一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于：其包括以下步骤：1)取经过等离子干法刻蚀后作业过的薄膜产品片；2)用酸溶液浸泡5～10分钟；
3)将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；4)再将产品片放入通氢气的高温炉子中，加热到1000～1110℃，退火6～12小时；5)最后将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。2.如权利要求1所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤1)中的等离子干法刻蚀时，上电极功率：600W～500W。
3.如权利要求1或2所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤2)中采用50：1的氢氟酸或缓冲氢氟酸溶液的任一种。
4.如权利要求1所述的干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其特征在于，所述步骤4)中通入氢气的流量为6～10SCCM。
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CN 104022018 A
说 明 书
一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺
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技术领域
本发明涉及半导体生产技术，具体地，本发明涉及一种半导体生产技术中干法刻
蚀等离子损伤修复工艺。
[0001]
背景技术
在半导体生产中产品片经常处于等离子环境中，例如等离子环境下的薄膜生长或
是等离子环境下的干法刻蚀等。这些工艺虽然各有优点，但也伴随着等离子损伤的不利因素。产品片在经过等离子体环境后会有一定程度的等离子损伤，这对薄膜的特性是有一定影响的。其产生机理是由于离子体环境下，带电离子在偏压下对薄膜的不断物理轰击和化学作用，从而对薄膜造成的物理和化学上的损伤。
[0003] 上述等离子损伤缺陷会引起器件边缘的损坏从而对器件性能造成很大影响。如电子器件的漏电引起的击穿电压变小，或是光传输器件的漏光引起的插入损耗增加等。
[0002]
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺。其能够修复产品片处于等离子环境中产生的物理和化学上的损伤，以解决现有技术中产品片存在等离子损伤缺陷的问题。
[0005] 一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其包括以下步骤：[0006] 1)取经过等离子干法刻蚀后作业过的薄膜产品片；[0007] 2)用酸溶液浸泡5～10分钟；
[0008] 3)将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；[0009] 4)再将产品片放入通氢气的高温炉子中，加热到1000～1110℃，退火6～12小时；
[0010] 5)最后将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。[0011] 特别地，所述步骤1)中的等离子干法刻蚀时，上电极功率：600W～1500W。[0012] 特别地，所述步骤2)中采用50：1的氢氟酸或缓冲氢氟酸溶液的任一种。[0013] 特别地，所述步骤4)中通入氢气的流量为6～10SCCM。[0014] 与现有技术相比，本发明一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺先用氢氟酸去除表面的物理损伤薄层，再用高温下氢气电离后产生的H-去将化学损伤的化学键恢复成稳定的状态。从而增加产品的成品率，提高了产品的稳定性，降低生产成本。
[0004]
具体实施方式
[0015] 为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体。实施例1
[0017] 一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其包括以下步骤：
[0016]
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CN 104022018 A[0018]
说 明 书
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1、取经过等离子干法刻蚀后(上电极功率：1000W)作业过的薄膜产品片；
[0019] 2、用50：1的氢氟酸浸泡10分钟；[0020] 3、将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；[0021] 4、再将产品片放入通氢气(10SCCM)的高温炉子中，加热到1110℃退火8小时[0022] 5、再将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。[0023] 实施例2
[0024] 一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其包括以下步骤：[0025] 1、取经过等离子干法刻蚀后(上电极功率：1500W)作业过的薄膜产品片；[0026] 2、用50：1的氢氟酸浸泡15分钟；[0027] 3、将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；[0028] 4、再将产品片放入通氢气(10SCCM)的高温炉子中，加热到1110℃退火12小时；[0029] 5、再将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。[0030] 上面实例中不同的参数，是由干法刻蚀时上电极功率为决定。[0031] 申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
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