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专利名称：集成电路封装件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：余振华,吴集锡,邱文智,李祥帆,戴世芃,邱当荣申请号：CN201510059724.8申请日：20150205公开号：CN104851814A公开日：20150819
摘要：本发明提出了一种形成集成电路封装件的方法。第一多个第一层堆叠件被安装在衬底上，其中，衬底具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相应的一个或多个接触焊盘并且具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相配套的一个或多个探测焊盘。电测试第一层堆叠件中的每一个堆叠件并且识别已知良好的第一层堆叠件和已知不良的第一层堆叠件。第一多个堆叠衬底被安装在已知良好的第一层堆叠件上，由此形成多个第二层堆叠件。电测试第二层堆叠件中的每一个堆叠件以识别已知良好的第二层堆叠件和已知不良的第二层堆叠件。本发明还提供了根据该形成集成电路封装件的方法而形成的半导体器件。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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