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专利名称：对非易失性存储器装置进行编程的方法专利类型：发明专利
发明人：崔允熙,李升妍,朱相炫申请号：CN201710412107.0申请日：20170602公开号：CN1086861A公开日：20181211
摘要：提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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