一种100V肖特基二极管制作工艺

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410740165.2 （22）申请日 2014.12.08

（71）申请人 天水天光半导体有限责任公司

地址 741000 甘肃省天水市环城西路7号

（10）申请公布号 CN104576362A

（43）申请公布日 2015.04.29

（72）发明人 安飚;张志向;杜林德;张晶辉 （74）专利代理机构 甘肃省知识产权事务中心

代理人 孙惠娜

（51）Int.CI

H01L21/329;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种100V肖特基二极管制作工艺

（57）摘要

本发明提供了一种提高100V肖特基二极

管静电的工艺，采用了4.5E+15-6.5E+15的高剂量离子注入，增大乐PN结的杂质浓度，同时采用高的退火温度增加了器件结深及均匀性。肖特基二极管为表面浅结器件，掺杂浓度越大，结深越深，器件的耐压能力越强。本发明工艺制备的100V肖特基二极管结深为2±0.2um，肖特基二极管静电为18KV。外延厚度厚，注入掺杂浓度高，

退火温度高推结深，均匀性好。较大改进静电，静电批次间稳定性一致。静电高，在器件使用过程中不容易出现静电击穿。

法律状态

法律状态公告日

2015-04-29 2015-04-29 2015-05-27 2015-05-27 2018-09-14

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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