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专利名称：氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶
体管
专利类型：发明专利
发明人：刘美华,孙辉,林信南,陈建国申请号：CN201610178292.7申请日：20160325公开号：CN107230629A公开日：20171003
摘要：本发明提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管，方法包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的底部接触所述氮化镓基底；在所述介质层和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中，所述栅极的侧面连接在所述栅极的底部和所述栅极的顶部之间且所述侧面与所述栅极的底部呈钝角。根据本发明，能够改善氮化镓场效应晶体管的耐压性。
申请人：北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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