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专利名称：一种功率半导体器件的背面加工工艺专利类型：发明专利发明人：王思亮,胡强,蒋兴莉申请号：CN201811540998.9申请日：20181217公开号：CN109712886A公开日：20190503
摘要：本发明涉及半导体器件的制造领域，具体涉及一种功率半导体器件的背面加工工艺，其步骤包括：第一步，进行第二导电型集电区制造工序，从第一导电型的半导体基板背面进行第一类离子注入；对半导体基板进行激光退火处理，从而在半导体基板背面形成比第一导电型的半导体基板具有更高载流子浓度的第二导电型的第一区域；第二步，进行缓冲层制造工序，从第一导电型的半导体基板背面进行质子注入；对半导体基板进行退火处理。本申请在质子注入形成缓冲层的工艺基础上，结合了激光退火的方式对集电区进行离子注入后的激活处理，相比于对集电区注入离子如硼离子的热退火激活，激光退火的激活率能够大幅度提高，从而在利用质子注入形成缓冲层的同时，获得更高的集电区载流子浓度。
申请人：成都森未科技有限公司
地址：610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
国籍：CN
代理机构：成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人：苏丹
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