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专利名称：一种具有大磁电阻效应的GdN薄膜及制备方法专利类型：发明专利
发明人：米文博,段秀峰,白海力申请号：CN201310041075.X申请日：20130201公开号：CN103088293A公开日：20130508
摘要：本发明涉及一种具有大磁电阻效应的GdN薄膜及制备方法。开发了反应磁控溅射法制备多晶GdN薄膜，该多晶薄膜生长在MgO(100)基底上，利用晶格的相关性来降低晶粒边界密度，薄膜结构为以Ag作为电极和AlN作为保护层的GdN薄膜；该薄膜具有大磁电阻效应，在5K温度和50kOe磁场下，磁电阻为-86%。作为磁场控制的开关，磁场敏感器等，具有靶材选择简单和靶材使用率较高等优点。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：王丽
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