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光刻技术发展现状分析

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光刻技术发展现状分析

肖啸;刘世杰

【期刊名称】《乐山师范学院学报》 【年(卷),期】2004(019)005

【摘 要】随着半导体工业和纳米技术的飞速发展,对光刻技术提出了越来越高的要求.光学光刻技术经过几十年的发展,在方方面面都取得了巨大进步,同时在现有基础上继续提高也存在着难以克服的困难;而下一代光刻技术(NGL)尽管取得了一些突破,但由于费用、生产率、实现性等问题,投入大规模使用尚待时日.在未来几年内,光学光刻的主流地位仍然不可动摇.本文分析了当前一些光刻技术的发展状况,并对光刻技术的发展趋势进行了展望. 【总页数】4页(P26-29) 【作 者】肖啸;刘世杰

【作者单位】乐山师范学院,物理与电子信息科学系,四川,乐山,614004;四川大学,物理学院,四川省,成都,6100 【正文语种】中 文 【中图分类】TN3 【相关文献】

1.193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 [J], 翁寿松 2.迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会 [J], 3.迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会 [J],

4.超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术 [J],

5.迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》第二届“光刻技术研讨会” [J],

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