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专利名称：并行电子束、离子束蚀刻工艺及装置专利类型：发明专利
发明人：胡小龙,顾超,朱晓田,程宇豪申请号：CN201510037979.4申请日：20150126公开号：CN104681427A公开日：20150603
摘要：本发明涉及纳米加工领域，为实现并行电子束蚀刻系统以及并行离子束蚀刻系统，加快曝光速度，减小曝光时间，增加产量，降低成本。另外，系统本身的成本也有望低于一般扫描电子束蚀刻系统，为此，本发明采取的技术方案是，一种并行电子束、离子束蚀刻工艺，包括如下流程：(1)准备模板，模板材料采用刚性薄膜；(2)将模板转移到附有蚀刻胶的基底上；(3)将样品放入真空室中，将真空室中气压抽至设定值以下，开始对模板及蚀刻胶进行一定时间的电子束或者离子束曝光；(4)电子束或离子束蚀刻后移走模板，模板可重复利用，蚀刻胶原来的暴露部分性质改变；(5)显影，洗掉性质改变的胶，得到需要图形。本发明主要应用于纳米加工场合。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：刘国威
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