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专利名称：在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法专利类型：发明专利发明人：马悦,王希,何川,王晖申请号：CN200810203809.9申请日：20081201公开号：CN101748459A公开日：20100623
摘要：本发明揭示了应用于现有发明中描述的带有二个或二个以上电极电化学沉积设备中的方法。该方法可在带有厚度在50至900范围内的大阻抗籽晶层的半导体晶片表面制出WFNU小于2.5％的均匀铜膜，其中采用的电解液为电导率为0.02至0.8S/cm的硫酸铜电解液。
申请人：盛美半导体设备(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江高科技园区蔡伦路1690号4幢
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：陆嘉
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