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石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列[发明专利]

来源:华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列专利类型:发明专利

发明人:夏玉明,卓恩宗,余思慧申请号:CN2020113865.9申请日:20201202公开号:CN112680719A公开日:20210420

摘要:本申请公开一种石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列。其中,所述石墨烯薄膜的制备方法包括以下步骤:制备填充有金属催化剂的分级多孔二氧化硅薄膜;采用原子层沉积法在所述分级多孔二氧化硅薄膜表面沉积石墨烯;以及去除所述分级多孔二氧化硅薄膜后,得到石墨烯薄膜。本申请的技术方案制备的石墨烯薄膜导电性能较好,可以替代传统ITO材料作为透明电极,广泛应用于薄膜晶体管。

申请人:北海惠科光电技术有限公司,惠科股份有限公司

地址:536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司二期A座4楼A-430室

国籍:CN

代理机构:深圳市世纪恒程知识产权代理事务所

代理人:关向兰

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