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专利名称：一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法专利类型：发明专利发明人：胡永忠
申请号：CN202010018322.4申请日：20200108公开号：CN111446365A公开日：20200724
摘要：提供了一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法。本发明公开了可容易地结合到现有IC制造工序中的各种电容隔离结构。一种用于形成隔离电容的示例性方法实施方案包括：(a)在集成电路基板的表面上形成凹槽，该凹槽具有底表面；(b)用绝缘层涂覆底表面；(c)将底部电极覆盖在绝缘层上；(d)用具有不小于凹槽深度的一半的最小厚度的块体绝缘体来填充凹槽；以及(e)将顶部电极沉积在块体绝缘体上方。
申请人：半导体元件工业有限责任公司
地址：美国亚利桑那州
国籍：US
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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