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专利名称：半导体测试结构专利类型：实用新型专利发明人：殷原梓
申请号：CN201521068395.5申请日：20151218公开号：CN205211741U公开日：20160504
摘要：本实用新型提供的一种半导体测试结构，包括底层金属、第一导电插塞和顶层金属，顶层金属通过第一导电插塞与底层金属之间实现电性连接。对本实用新型的半导体测试结构进行扫描电镜成像时，根据第二顶层金属线和第三顶层金属线的亮暗可以判断第一导电插塞偏移的方向，并且，根据第二底层金属线与第一底层金属线之间的间距的不同，可以判断出第一导电插塞偏移的量。本实用新型中，可以经过电性分析确定第一导电插塞工艺异常的问题，通过失效分析查找问题的原因。做到在生产过程中直接实时监控，快速定位，节省时间和资源，提高生产效率。
申请人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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