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专利名称：线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器专利类型：发明专利发明人：邓民明,刘涛,刘璐申请号：CN201410362550.8申请日：20140728公开号：CN104135273A公开日：20141105
摘要：本发明公开了一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其中包含了一个尾电流源单元及一个射极电压检测基极电流反馈放大器。本发明电路通过实现镜像负载复制驱动负载的电流，保证流过缓冲器中的缓冲晶体管的电流为一个恒定电流，减少了包含该增益的传递函数中的非线性因素；引入了一个射极电压检测基极电流反馈放大器，由于在隔离双极晶体管射极和基极间引入了一个负反馈，形成了理想的虚地点，从而增加了缓冲器的线性度。本发明电路的线性度可达到96dB，比传统缓冲器电路的线性度提高30％。本发明电路特别适用于在数模/模数转换器对线性度要求极高的领域。
申请人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
地址：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
国籍：CN
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