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专利名称：一种垂直腔面发射半导体激光器专利类型：发明专利
发明人：张星,宁永强,秦莉,刘云,申请号：CN201310310745.3申请日：20130723公开号：CN103390858A公开日：20131113
摘要：一种垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器领域。该半导体激光器包括P面电极、多层介质绝缘薄膜、P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底层和N面电极，所述的多层介质绝缘薄膜由光学厚度为四分之一波长的低折射率层和高折射率层组成，N型DBR层生长在有源层的下端，N型DBR层的下端顺次生长衬底层和N面电极，P型DBR层生长在有源层的上端，多层介质绝缘薄膜生长在由P型DBR层、有源层和N型DBR层构成的圆柱形台面的上表面和侧表面，P面电极生长在多层介质绝缘薄膜的上端。该半导体激光器能够将激光器有源区侧向泄漏的放大自发发射反馈回有源区，提高电光转换效率。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林春市东南湖大路3888号
国籍：CN
代理机构：长春菁华专利商标代理事务所
代理人：陶尊新
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