专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：在源和漏区下面具有缓冲区的金属氧化物半导体
(MOS)晶体管及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：金成玟,吴昌佑,朴东健,李成泳,赵慧珍,尹恩贞,李信
爱,崔晶东
申请号：CN200410001940.9申请日：20040116公开号：CN1518127A公开日：20040804
摘要：提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
