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专利名称：半导体结构中二极管的电参数的测试方法专利类型：发明专利发明人：孙晓峰,秦仁刚申请号：CN201910003281.9申请日：20190103公开号：CN111403305A公开日：20200710
摘要：本发明涉及一种半导体结构中二极管的电参数的测试方法。所述方法包括：形成半导体结构；将测试设备的第一测试头与所述第一导电类型掺杂区接触、第二测试头与所述第二导电类型掺杂区接触，测试由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。本发明通过在第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间设置隔离区，将第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区隔离开，从而可以通过与第一导电类型掺杂区接触的第一测试头和与第二导电类型掺杂区接触的第二测试头，准确地测出由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。
申请人：无锡华润上华科技有限公司
地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：邓云鹏
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