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专利名称：半导体存储器器件专利类型：发明专利发明人：原浩太,菊竹阳申请号：CN200610007300.8申请日：20060216公开号：CN1953097A公开日：20070425
摘要：本发明公开了一种具有突发读操作功能的半导体存储器器件，包括内部地址生成电路、存储器核心和存储器核心控制电路，其中在突发读操作中，内部地址生成电路将外部地址设置为初始值，从而顺序产生内部地址。存储器核心具有多个存储单元并且响应于列选择信号的激活在突发读操作中顺序输出数据，所述数据是从对应于内部地址的存储单元读取的。在突发读操作中，存储器核心控制电路中的列控制电路在外部控制信号的激活时段期间在某个时间段内重复激活列选择信号，并且与外部控制信号的去活同步地强制去活列选择信号。在突发读操作中，在从外部控制信号的去活开始经过了预定时间之后，存储器核心控制电路中的操作状态控制电路去活操作状态控制信号。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：赵淑萍
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