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专利名称：一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆及其制备
方法
专利类型：发明专利发明人：刘细莲,丁冰冰,马进申请号：CN201310322676.8申请日：20130729公开号：CN103545013A公开日：20140129
摘要：本发明公开了一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆，该浆料由以下质量份配比的原料制成：70-78份的铝粉，0.05-3份的无机粘合剂，17-27份的有机粘合剂，1-5份的添加剂。本发明还公开了上述局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆的制备方法。相比于传统铝浆，本发明产品专门应用于局部铝背场晶体硅太阳电池，具有流动性好、对钝化膜破坏较小、与窗口接触好、铝膜致密均匀等优点。本发明产品应用于局部铝背场单晶硅太阳电池上的量产平均转换效率≥20.0%，将电池片层压封装后，经EVA撕拉测试，测得铝背场附着拉力≥10N。
申请人：广州市儒兴科技开发有限公司,无锡市儒兴科技开发有限公司
地址：510663 广东省广州市广州科学城神舟路768号5栋
国籍：CN
代理机构：广州知友专利商标代理有限公司
代理人：李海波
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