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专利名称：一种p型ZnO纳米线的制备方法专利类型：发明专利
发明人：冯秋菊,李梦柯,宋哲,张楠申请号：CN200810011047.2申请日：20080415公开号：CN101319369A公开日：20081210
摘要：一种p型ZnO纳米线的制备方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO纳米线的掺杂技术，特别涉及一种采用化学气相沉积技术利用砷化物作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用砷化物做为p型ZnO的掺杂源，利用化学气相沉积方法制备砷掺杂p型ZnO纳米线。在加热温度为400℃～700℃时，通过调节砷化物与锌摩尔比值来控制砷掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种简便有效的制备高质量、可控性强的p型ZnO纳米线的生长技术，克服p型ZnO纳米线掺杂困难的难题，进而实现ZnO纳米线的p－n结型光电器件。
申请人：辽宁师范大学
地址：116029 辽宁省大连市沙河口区黄河路850号
国籍：CN
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