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专利名称：一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法专利类型：发明专利
发明人：高生平,华靖童,张迪,孙莉莉,李会,王清政,赵志刚申请号：CN201710225739.6申请日：20170407公开号：CN106906503A公开日：20170630
摘要：本发明公开了一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法。本发明通过谷胱甘肽与金离子进行络合，在导电玻璃上沉积金纳米簇，然后利用沉积了金纳米簇的导电玻璃作为电极，对Zn进行电镀，制备得到排列整齐，分布均匀的ZnO纳米阵列。本发明方法克服了现有技术中ZnO排列难以控制、分布不均等缺陷。本发明可以有序控制ZnO纳米阵列的厚度，粒径，长度等，以得到符合预期结果的ZnO纳米阵列。ZnO纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，本发明对ZnO纳米阵列的制备及应用具有重大意义。
申请人：南京工业大学浦江学院
地址：211134 江苏省南京市江宁区汤峰路96号
国籍：CN
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