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专利名称：一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法专利类型：发明专利
发明人：张跃,陈翔,闫小琴,李欣,冯亚瀛,申衍伟,郑鑫申请号：CN201210452268.X申请日：20121113公开号：CN102942207A公开日：20130227
摘要：本发明一种，属于纳米材料图案化生长领域。本发明旨在促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长。其特征是：在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用长程扩束、大尺寸高反镜、高灵敏化学放大胶和顶部抗反射层四项技术，既实现了曝光面积的增大和能量分布均匀性的提高，又减轻了驻波效应的不利影响，还提高了光刻胶表面的亲水性并减少了显影和生长缺陷，另外增强了模板抗生长液侵蚀的能力，所得阵列大面积均匀。本发明步骤简单、对原始工艺兼容性好且效果显著，为图案化ZnO纳米棒阵列集成化应用和相关纳米功能器件性能的优化提供了有力的参考。
申请人：北京科技大学
地址：100083 北京市海淀区学院路30号
国籍：CN
代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人：皋吉甫
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