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专利名称：一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置专利类型：发明专利
发明人：狄聚青,朱刘,刘运连,黄幸蔚,薛帅,崔博申请号：CN201910948208.9申请日：20190930公开号：CN110484965A公开日：20191122
摘要：本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
申请人：广东先导稀材股份有限公司
地址：511517 广东省清远市清新区禾云镇工业区(鱼坝公路旁)
国籍：CN
代理机构：广州三环专利商标代理有限公司
代理人：颜希文
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