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专利名称：离子束增强沉积制备P－型氧化锌薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：袁宁一,李金华申请号：CN200510094611.8申请日：20050929公开号：CN1752269A公开日：20060329
摘要：本发明涉及一种新的ZnO薄膜实用制备技术，其将高纯度ZnO粉体，或原子比为1－5％的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体，用等静压压制成型，再烧结成溅射靶，并用纯N或Ar∶N为1∶3～1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。本技术的ZnO薄膜制备沉积不受衬底材料的制约，可以在硅、氧化硅、玻璃和氮化硅多片衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率低于1.0Ωcm，在可见光区域透射率大于80％p型氧化锌薄膜，满足工业化生产要求；且成膜温度较低，与半导体工艺兼容，没有废物排放。
申请人：江苏工业学院
地址：213016 江苏省常州市白云路
国籍：CN
代理机构：南京知识律师事务所
代理人：汪旭东
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