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专利名称：一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈善亮,高凤梅,王霖,郑金桔,杨为佑申请号：CN201510511223.9申请日：20150819公开号：CN105161554A公开日：20151216
摘要：本发明涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，属于纳米材料技术领域。所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO·HO粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28-32℃/min的速率从室温升温至1300-1400℃，再以20-25℃/min的速率升温至1400-1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12-75℃/min的速率先冷却至1080-1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。本发明制备方法简单可控，具有很好重复性，实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜，实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂，并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效。
申请人：宁波工程学院
地址：315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路59号
国籍：CN
代理机构：宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人：张向飞
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