专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法专利类型：发明专利发明人：肖莉红,邓浩,严琰申请号：CN201410367540.3申请日：20140729公开号：CN1054487A公开日：20160330
摘要：本发明提供一种减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法，通过在氢化无定形碳薄膜的表面先通以氧气等离子体进行表面平滑处理，以去除氢化无定形碳薄膜表面的Bump缺陷，然后再采用含氢及氦气的等离子体对氢化无定形碳薄膜的表面再次进行平滑处理，以使得薄膜表面的光滑程度得以提升。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
更多信息请下载全文后查看
