《集成电路制造工艺与工程应用》目录

目录

序言：写作缘由 ----------------------------------------------------------------------------------------- 致谢 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 第一章： 引言 -------------------------------------------------------------------------------------------

1.1 崛起的CMOS工艺制程技术 -------------------------------------------------------------------

1.1.1 1.1.2 1.1.3 1.1.4 1.2.1 1.2.2 1.2.3

双极型工艺制程技术简介 ------------------------------------------------------------- PMOS工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------- NMOS工艺制程技术简介 ------------------------------------------------------------- CMOS工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------- BiCMOS工艺制程技术简介 ------------------------------------------------------------ BCD工艺制程技术简介 ----------------------------------------------------------------- HV-CMOS工艺制程技术简介 ---------------------------------------------------------

1.2 特殊工艺制程技术 --------------------------------------------------------------------------------

1.3 MOSFET集成电路的发展历史 ---------------------------------------------------------------------- 1.4 MOS器件的发展和面临的挑战 --------------------------------------------------------------- 第二章：先进工艺技术--------------------------------------------------- 2.1 应变硅工艺技术------------------------------------------------------

2.1.1 2.1.2 2.1.3 2.1.4 2.1.5 2.1.6 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.2.5 2.2.6 2.2.7 2.2.8 2.2.9 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4

应变硅工艺技术的概况 ----------------------------------------- 应变硅工艺技术的物理机理 ------------------------------------- 源漏嵌入SiC应变技术 ----------------------------------------- 源漏嵌入SiGe应变技术 ---------------------------------------- 应力记忆应变技术 --------------------------------------------- 接触刻蚀阻挡层应变技术 --------------------------------------- 栅介质层的发展和面临的挑战 ---------------------------------- 衬底量子效应 ------------------------------------------------ 多晶硅栅耗尽效应 --------------------------------------------- 等效栅氧化层厚度 --------------------------------------------- 栅直接隧穿泄漏电流 ------------------------------------------- 高介电常数介质层 --------------------------------------------- HKMG工艺技术 ------------------------------------------------ 金属嵌入栅极工艺技术 ---------------------------------------- 金属替代栅极工艺技术 ---------------------------------------- SOS技术 ---------------------------------------------------- SOI技术 ---------------------------------------------------- PD-SOI ------------------------------------------------- FD-SOI -------------------------------------------------

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2.2 HKMG工艺技术 ------------------------------------------------------

2.3 SOI工艺技术-------------------------------------------------------

《集成电路制造工艺与工程应用》在2018年7月由机械出版社负责出版 – 作者：温德通

《集成电路制造工艺与工程应用》

2.4 FinFET和UTB-SOI工艺技术-----------------------------------------

2.4.1 2.4.2 2.4.3

FinFET的发展概况 ------------------------------------------ FinFET和UTB-SOI的原理 ----------------------------------- FinFET工艺技术 -------------------------------------------

第三章：工艺集成 ------------------------------------------------------------------------------------ 3.1 隔离技术 -------------------------------------------------------------------------------------------

3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.1.4 3.2.1 3.2.2 3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4 3.3.5 3.3.6 3.4.1 3.4.2 3.4.3 3.4.4 3.5.1 3.5.2 3.5.3 3.5.4 3.6.1 3.6.2 3.7.1 3.7.2 3.7.3 3.7.4

PN结隔离技术 ---------------------------------------------------------------------- LOCOS结隔离技术 ---------------------------------------------------------------- STI结隔离技术 --------------------------------------------------------------------- LOD效应 ----------------------------------------------------------------------------- 硬掩膜版工艺技术简介 ------------------------------------------------------------ 硬掩膜版工艺技术的工程应用 --------------------------------------------------- 漏致势垒降低效应 ----------------------------------------------------------------- 晕环离子注入 ----------------------------------------------------------------------- 浅源漏结深 -------------------------------------------------------------------------- 倒掺杂阱 ----------------------------------------------------------------------------- 阱邻近效应 -------------------------------------------------------------------------- 反短沟道效应------------------------------------------------------------------------- 热载流子注入效应简介 ----------------------------------------------------------- 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术 -------------------------- 隔离侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术 -------------------------------------- 轻掺杂漏离子注入和隔离侧墙工艺技术的工程应用 ----------------------- Polycide工艺技术 ------------------------------------------------------------------ SAB工艺技术 ----------------------------------------------------------------------- Salicide工艺技术 ------------------------------------------------------------------- SAB和Salicide工艺技术的工程应用 ------------------------------------------ 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------ 静电放电离子注入技术的工程应用----------------------------------------------- 接触孔和通孔金属填充 ------------------------------------------------------------ 铝金属互连 ------------------------------------------------------------------------ 铜金属互连 ------------------------------------------------------------------------ 阻挡层金属 ------------------------------------------------------------------------

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3.2 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术 ---------------------------------------------------------

3.3 漏致势垒降低效应和沟道离子注入---------------------------------------------------------

3.4 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术 --------------------------------------

3.5 金属硅化物技术 --------------------------------------------------------------------------------

3.6 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------------------

3.7 金属互连技术 ------------------------------------------------------------------------------------

《集成电路制造工艺与工程应用》在2018年7月由机械出版社负责出版 – 作者：温德通

《集成电路制造工艺与工程应用》

第四章：工艺制程整合------------------------------------------------------------------- 4.1 亚微米CMOS前端工艺制程技术流程------------------------------------

4.1.1 衬底制备 ------------------------------------------------------------- 4.1.2 双阱工艺 ------------------------------------------------------------- 4.1.3 有源区工艺 ------------------------------------------------------------- 4.1.4 LOCOS隔离工艺 ------------------------------------------------------ 4.1.5 阈值电压离子注入工艺 ----------------------------------------------- 4.1.6 栅氧化层工艺 ---------------------------------------------------------- 4.1.7 多晶硅栅工艺 ---------------------------------------------------------- 4.1.8 LDD工艺 ------------------------------------------------------------- 4.1.9 侧墙工艺 --------------------------------------------------------------- 4.1.10 源漏离子注入工艺 ---------------------------------------------------- 4.2 亚微米CMOS后端工艺制程技术流程---------------------------------------

4.2.1 ILD工艺 ----------------------------------------------------------------- 4.2.2 接触孔工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.3 金属层1工艺 ------------------------------------------------------------ 4.2.4 IMD1工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.5 通孔1工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.6 MIM工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.7 金属层2工艺 ------------------------------------------------------------ 4.2.8 IMD2工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.9 通孔2工艺 --------------------------------------------------------------- 4.2.10 顶层金属层工艺 ---------------------------------------------------------- 4.2.11 钝化层工艺 --------------------------------------------------------------- 4.3 深亚微米CMOS前端工艺技术流程 --------------------------------------------

4.3.1 衬底制备 ------------------------------------------------------------------ 4.3.2 有源区工艺 ------------------------------------------------------------- 4.3.3 STI隔离工艺 ------------------------------------------------------------- 4.3.4 双阱工艺------------------------------------------------------------------ 4.3.5 栅氧化层工艺 ------------------------------------------------------------- 4.3.6 多晶硅栅工艺 --------------------------------------------------------- 4.3.7 LDD工艺 ------------------------------------------------------------- 4.3.8 侧墙工艺 ------------------------------------------------------------------ 4.3.9 源漏离子注入工艺 ------------------------------------------------------- 4.3.10 HRP工艺 ------------------------------------------------------------- 4.3.11 Salicide工艺 ----------------------------------------------------------------- 4.4 深亚微米CMOS后端工艺制程技术流程--------------------------------------- 4.5 纳米CMOS前端工艺技术流程 ---------------------------------------

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《集成电路制造工艺与工程应用》

4.6 纳米CMOS后端工艺技术流程 ---------------------------------------

4.6.1 ILD工艺 ----------------------------------------------------------------- 4.6.2 接触孔工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.3 IMD1工艺 -------------------------------------------------------------- 4.6.4 金属层1工艺 ---------------------------------------------------------- 4.6.5 IMD2a工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.6 IMD2b工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.7 通孔1工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.8 金属层2工艺 ---------------------------------------------------------- 4.6.9 IMD3a工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.10 IMD3b工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.11 通孔2工艺 ------------------------------------------------------------- 4.6.12 金属层3工艺 ---------------------------------------------------------- 4.6.13 钝化层工艺 -------------------------------------------------------------

第五章：晶圆接受测试（WAT）----------------------------------------------------------------- 5.1 WAT概述 -------------------------------------------------------------------------------------------

5.1.1 5.1.2 5.2.1 5.2.2 5.2.3 5.2.4 5.2.5 5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.4.1 5.4.2 5.5.1 5.5.2 5.6.1 5.6.2 5.6.3

WAT简介 ---------------------------------------------------------------------- WAT测试类型 ---------------------------------------------------------------- 阈值电压Vt的测试条件 ------------------------------------------------ 饱和电流Idsat的测试条件 -------------------------------------------- 漏电流Ioff的测试条件 ------------------------------------------------- 源漏击穿电压BVD的测试条件 -------------------------------------- 衬底电流Isub的测试条件 --------------------------------------------- 电容Cgox的测试条件 ---------------------------------------------------- 电性厚度Tgox的测试条件 ---------------------------------------------- 击穿电压BVgox的测试条件 -------------------------------------------- Poly栅场效应晶体管的测试条件 ----------------------------------- M1场效应晶体管的测试条件 ---------------------------------------- 电容Cjun的测试条件 --------------------------------------------------- 击穿电压BVjun的测试条件 ------------------------------------------ NW方块电阻的测试条件 -------------------------------------------- PW方块电阻的测试条件 -------------------------------------------- Poly方块电阻的测试条件 -------------------------------------------

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5.2 MOS参数的测试条件 --------------------------------------------------------------------------

5.3 栅氧化层完整性参数的测试条件 ----------------------------------------------------------

5.4 寄生MOS参数的测试条件 ------------------------------------------------------------------

5.5 PN结参数的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

5.6 方块电阻的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

《集成电路制造工艺与工程应用》在2018年7月由机械出版社负责出版 – 作者：温德通

《集成电路制造工艺与工程应用》

5.6.4 5.6.5 5.7.1 5.7.2 5.7.3 5.8.1 5.8.2 5.8.3 5.9.1 5.9.2

AA方块电阻的测试条件 --------------------------------------------- 金属方块电阻的测试条件 ------------------------------------------- AA接触电阻的测试条件----------------------------------------------- Poly接触电阻的测试条件 ------------------------------------------- 金属通孔接触电阻的测试条件 ------------------------------------- AA隔离的测试条件 -------------------------------------------------- Poly隔离的测试条件 ------------------------------------------------ 金属隔离的测试条件 ------------------------------------------------ 电容的测试条件 ------------------------------------------------------ 击穿电压的测试条件 -----------------------------------------------

5.7 接触电阻的测试条件 -------------------------------------------------------------------------

5.8 隔离的测试条件 --------------------------------------------------------------------------------

5.9 电容的测试条件 -------------------------------------------------------------------------------

第六章：总结 ----------------------------------------------------------------------------------------

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