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专利名称：大功率金属半导体场效应发光晶体管专利类型：发明专利
发明人：孙慧卿,郭志友,赵华雄,高小奇,曾坤,张建中,范广涵申请号：CN200810028451.0申请日：20080530公开号：CN101290961A公开日：20081022
摘要：本发明公开了一种大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于在外延片的衬底上包括中心区的n型电子发射层，边缘区的n型电子发射层，n型电子发射层的中心区与边缘区之间是闭合的栅极区，中心区的n型电子发射层上面生长着量子阱层，量子阱层上生长着p型空穴产生层，p型空穴产生层的上面设置着漏极，在n型电子发射层的边缘区上设置着源极，栅极区上面设置着栅极。本发明增加电流控制区——栅极区，从而使发光晶体管的电流可控，可以实现高电流。
申请人：华南师范大学
地址：510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利代理有限公司
代理人：何淑珍
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