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专利名称：集成电子器件专利类型：实用新型专利发明人：P·加利,R·勒蒂克申请号：CN201920821398.3申请日：20190603公开号：CN209993598U公开日：20200124
摘要：本公开的实施例涉及集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域，其具有电阻部分；第一端子，其耦合到第一电压(例如，参考电压)并且形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第一侧上；以及第二端子，其生成代表集成电子器件的温度的电压，该第二端子形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第二侧上。调整电路将调整电压生成为具有取决于控制电压和第二端子所生成的电压的值。
申请人：意法半导体有限公司
地址：法国蒙鲁
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
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