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专利名称：三氧化钼-二氧化钼异质结构复合体及其制备方法
和应用
专利类型：发明专利
发明人：宫勇吉,陈乾,杨伟伟,魏怡申请号：CN202010358796.3申请日：20200429公开号：CN111600009A公开日：20200828
摘要：本发明公开了一种三氧化钼‑二氧化钼异质结构复合体及其制备方法和应用。制备方法包括：将碳纸加入含有钼源的反应溶液中，在pH值2～4、140～180℃反应10～20h，冷却后得到生长在碳纸上的三氧化钼；在惰性气体和氢气气氛下，将所述生长在碳纸上的三氧化钼以5～15℃/分钟的速率升温至300～500℃，并保温1～2h，即得。本发明的三氧化钼‑二氧化钼异质结构复合体比表面积高，有更高的反应活性。采用适宜的反应条件，可以有效地保护形貌且提升产物收率，降低成本。本发明的三氧化钼‑二氧化钼异质结构复合体具有有更多的活性位点，从而在电池领域具有更好的应用性能。
申请人：北京航空航天大学
地址：100083 北京市海淀区学院路37号
国籍：CN
代理机构：北京臻之知识产权代理有限公司
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